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2G 登録試験 2017年10月 問題10
半導体に関する記述として、適切なものは次のうちどれか。
解説
選択肢(4)が適切です。
(4)NPN型トランジスタのベース電流が2mA、コレクタ電流が200mA流れた場合の電流増幅率は100である。
\[ \require{cancel} \Large{ 電流増幅率 = \frac{コレクタ電流I_c}{ベース電流I_b} \\ = \frac{200mA }{2mA } \\ = 100 } \](1)CR発振器は、コイルとコンデンサの共振回路を利用し、発振周期を決めている。
この選択肢は不適切です。
CR発振器は抵抗とコンデンサで発振周期（発振周波数frの逆数）が決めます。
あるいは、LC発振器はコイルとコンデンサの共振回路（Tank circuit、Resonant circuit）を利用し、発振周期を決めている。
(2)発振とは、入力に一定周期の交流電流を流し、出力で直流電流が流れている状態をいう。
この選択肢は不適切です。
正しくは以下の通りです。
発振とは、入力に直流の電流を流し、出力で一定周期の交流電流が流れている状態をいう。
(3)NAND回路とは、二つの入力のAとBが共に“1"のときのみ出力が“1"となる回路をいう。
この選択肢も不適切です。
正しくは以下の通りです。
NAND回路とは、二つの入力のAとBが共に“1"のときのみ出力が“0"となる回路をいう。
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